350nm ASICの設計・発注

350nmは一種類のプロセスではない

公開されている仕様を比べると、同じ0.35µmでも狙う回路が異なります。次の数値や機能は、それぞれの製品・プロセスに限った情報です。

参照：セイコーエプソン「ゲートアレイ」、ams OSRAM「Technology portfolio」、onsemi「I3T80」

250nm・180nmとの比較では、維持する仕様を先に決める

350nmを候補にする理由が既存の5Vインターフェースなら、周辺回路を変更できるかが判断の境目です。セイコーエプソンの公開仕様では、0.35µmの「S1L50000」が5Vインターフェースに対応します。一方、0.25µmの「S1L60000」に記載されたI/OレベルはCMOS、LVTTL、PCI-3.3Vです。

これは両シリーズの仕様比較です。350nm全般が250nmより高い電圧を扱えるという意味ではありません。また、5Vインターフェース対応を5V単一電源対応と混同せず、電源構成もシリーズ単位で確認します。

高耐圧が必要な案件では、ロジックの動作電圧とは分けて、必要な端子電圧、素子の種類、保護回路、アナログ性能を確認します。デジタル回路の規模や速度が選定を左右するなら、350nmに固執せず、250nm・180nmも同じ要求仕様で比較してください。設計用ライブラリや対応ツールもシリーズごとに異なります。

参照：セイコーエプソン「ゲートアレイ」、セイコーエプソン「ASICの設計・開発」

耐放射線などの特殊条件は、ノード名から判断しない

研究用途の350nm ASIC事例が検索結果にあっても、350nmで製造すれば耐放射線性が得られるわけではありません。ESAが公開する350nm SiGe BiCMOSのASIC事例では、耐放射線を考慮した設計を適用し、TID・SEL試験で確認しています。

特殊環境向けの開発では、採用ノードに加えて、適用した設計手法と試験条件まで確認します。

参照：ESA掲載「Radiation-Hardening-By-Design for the Warm Front-End Electronics」

初回相談では、350nm指定の理由まで伝える

350nmを必須条件とするのか、5V互換や高耐圧といった要求を満たすための仮説なのかを分けて伝えます。候補会社には、次の条件を同じ書式で共有してください。

• 入出力電圧と、5Vインターフェース・5V単一電源のどちらが必要か
• 必要な耐圧とアナログ性能
• デジタル回路の規模、流用したいIPや設計データ
• 既存基板・端子配置・パッケージの変更可否
• 試作・量産の予定数量と量産時期

採用できるプロセス、利用可能な素子・IP、設計・試作・量産の対応範囲を回答してもらえば、350nmを維持すべきか、別ノードも候補になるかを比較できます。