250nm ASICの設計・発注

同じ250nmでも、使える素子と電圧が違う

onsemiが公開する二つの0.25µmプロセスは、ノード名だけでは回路の適合性を判断できない例です。

250nmという数字は共通でも、設計できる回路の範囲は同じではありません。これらは仕様差を示す例であり、後述する国内メーカーが採用しているプロセスを示したものではありません。

センサーなどの微小信号を扱うなら、必要な抵抗・容量素子に加え、雑音、オフセット、直線性、温度変化を設計モデルと試作評価で詰める必要があります。電源や駆動回路を集積するなら、ロジックの電源電圧とは別に、入出力と高耐圧素子の条件を見ます。

参照：onsemi「ONC25」、onsemi「ONBCD25」

設計を始める前に、PDKとIPの対応範囲を確かめる

回路図やRTLがあっても、そのまま別の250nmプロセスへ移せるとは限りません。候補プロセスのPDKに含まれるデバイスモデル、設計ルール、ライブラリを確認し、必要なメモリや変換回路などのIPが利用できるかを設計会社と照合します。

EOL置換は「同じ250nm」より互換範囲を定める

既存ASICのEOL対応では、ピン配置、基板を変更できるか、パッケージ、維持したい基本性能を先に決めます。

アナログ機能を含む場合は、ピン互換だけで同じ動作になるとは限りません。電源・入出力条件と必要な電気的特性をデータシートで比べ、外付け部品を含めて実機で確かめる範囲を決めます。元の回路図や評価結果も、比較条件をそろえる材料になります。

「250nm対応」の公開情報を、発注条件と切り分ける

250nmのラインアップが現在も公開されている例として、セイコーエプソンの公式サイトには0.25µmのゲートアレイ「S1L60000」とエンベデッドアレイ「S1X60000」が掲載されています。

ASIC開発ナビの「目的別ASICメーカー3選」では、ジェピコ・セミコンダクターに250nm対応の記載があります。これはサイト上の掲載情報です。現行の対応プロセス、希望する回路方式、試作・量産条件は直接確認してください。同社のFAQでは、試作のみの依頼は受けず、量産を前提とすると説明されています。

参照：セイコーエプソン「ゲートアレイ」、セイコーエプソン「エンベデッドアレイ」、ASIC開発ナビ、ジェピコ・セミコンダクター「FAQ」

見積もり依頼では、ノード名より要求仕様をそろえる

比較先へは、次の条件を同じ書式で渡します。「250nm指定」は必須条件なのか、代替プロセスも許容するのかも明記しましょう。

• 必要なアナログ性能と評価条件
• 入出力電圧・耐圧条件
• デジタル回路の規模と流用したいIP
• 既存品との互換条件
• 試作・量産の予定数量
• 希望する量産時期

条件をそろえれば、対応可否だけでなく、仕様変更が必要な箇所も比較できます。費用と期間は、仕様、チップサイズ、数量、設計・評価工数で変わります。単価だけを並べず、設計・試作・評価・量産で各社が担う範囲を確認してください。